RS1E321GNTB1
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | RS1E321GNTB1 |
Beschreibung: | RS1E321GN IS A POWER MOSFET WITH |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ROHM Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 2.1mOhm @ 32A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 3W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-HSOP |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 42.8nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2850pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 32A (Ta), 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 2500 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.91 | $0.89 | $0.87 |
Minimale: 1