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RS1E130GNTB

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RS1E130GNTB
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11.7mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-HSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 7.9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 420pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 2290 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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