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CSD25211W1015

Hersteller: NA
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: CSD25211W1015
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NA
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie NexFET™
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) -6V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UFBGA, DSBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 33mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-DSBGA (1x1.5)
Gate Charge (Qg) (Max.) 4.1nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 570pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 7535 pcs

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