Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
RQ3E100BNTB
| Hersteller: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | RQ3E100BNTB |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ROHM Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 10.4mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 2W (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-HSMT (3.2x3) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 22nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1100pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 276 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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