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PMZB350UPE,315

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMZB350UPE,315
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-XFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DFN1006B-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 127pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 228 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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