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RQ3E080GNTB

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RQ3E080GNTB
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 16.7mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta), 15W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-HSMT (3.2x3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 295pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 2035 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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