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DMN61D8LQ-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN61D8LQ-7
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Verlustleistung (Max.) 390mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23
Gate Charge (Qg) (Max.) 0.74nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 12.9pF @ 12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 470mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 5V

Auf Lager 2424 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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