RP1E090XNTCR
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | RP1E090XNTCR |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 9A MPT6 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | ROHM Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 17mOhm @ 9A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | MPT6 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 6.8nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 440pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Auf Lager 71 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1