BUK761R3-30E,118
Hersteller: | NXP USA Inc. |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | BUK761R3-30E,118 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | NXP USA Inc. |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.3mOhm @ 25A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 357W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | D2PAK |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 154nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 11960pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 84 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1