RGT16NS65DGC9
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | RGT16NS65DGC9 |
Beschreibung: | IGBT |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | ROHM Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Verpackung | Tube |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 21nC |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 94W |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Testbedingung | 400V, 8A, 10Ohm, 15V |
Schalten der Energie | - |
TD (ein/aus) bei 25°C | 13ns/33ns |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-262 |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 8A |
Reverse Recovery Time (trr) | 42ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 16A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 24A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 1000 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$2.19 | $2.15 | $2.10 |
Minimale: 1