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RGT16TM65DGC9

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: RGT16TM65DGC9
Beschreibung: FIELD STOP TRENCH IGBT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Eingabetyp Standard
Gate Charge 21nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 22W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Testbedingung 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie -
TD (ein/aus) bei 25°C 13ns/33ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220NFM
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 8A
Reverse Recovery Time (trr) 42ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 9A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 24A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 1000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.11 $2.07 $2.03
Minimale: 1

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