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RGS80TSX2DHRC11

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: RGS80TSX2DHRC11
Beschreibung: 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Eingabetyp Standard
Gate Charge 104nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 555W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 3mJ (on), 3.1mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 49ns/199ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247N
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr) 198ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 80A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 74 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.35 $11.12 $10.90
Minimale: 1

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