Image is for reference only , details as Specifications

STGYA120M65DF2AG

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: STGYA120M65DF2AG
Beschreibung: IGBT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie M
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 420nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 625W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Basis-Teilenummer STGYA120
Schalten der Energie 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 66ns/185ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket MAX247™
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.15V @ 15V, 120A
Reverse Recovery Time (trr) 202ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 160A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 360A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 76 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.03 $10.81 $10.59
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FGY75T95LQDT
ON Semiconductor
$10.45
STGW40H120F2
STMicroelectronics
$10.25
FGY75T95SQDT
ON Semiconductor
$10
STGWA25M120DF3
STMicroelectronics
$10
RGS80TSX2HRC11
ROHM Semiconductor
$9.13