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R6030MNX

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: R6030MNX
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 150mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 90W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220FM
Gate Charge (Qg) (Max.) 43nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2180pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 371 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.47 $6.34 $6.21
Minimale: 1

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