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IXFP56N30X3M

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFP56N30X3M
Beschreibung: FET N-CHANNEL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 27mOhm @ 28A, 10V
Verlustleistung (Max.) 36W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220 Isolated Tab
Gate Charge (Qg) (Max.) 56nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3750pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 56A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 60 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.23 $6.11 $5.98
Minimale: 1

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