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HS8K11TB

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: HS8K11TB
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 2W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 17.9mOhm @ 7A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket HSML3030L10
Gate Charge (Qg) (Max.) 11.1nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 500pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7A, 11A

Auf Lager 2443 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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