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DMN2008LFU-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMN2008LFU-7
Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UFDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket U-DFN2030-6 (Type B)
Gate Charge (Qg) (Max.) 42.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1418pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 14.5A

Auf Lager 2255 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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