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EMX1FHAT2R

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: EMX1FHAT2R
Beschreibung: NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Transistortyp 2 NPN (Dual)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 180MHz
Lieferanten-Gerätepaket EMT6
Vce Sättigung (Max.) 400mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 1mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 7197 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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