Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
PRMD2Z
| Hersteller: | Nexperia USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Datenblatt: | PRMD2Z |
| Beschreibung: | PRMD2/SOT1268/DFN1412-6 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 480mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Transistortyp | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Widerstand - Basis (R1) | 22kOhms |
| Frequenz - Übergang | 230MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | DFN1412-6 |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 22kOhms |
| Vce Sättigung (Max.) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 60 @ 5mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 4750 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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