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EMD62T2R

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: EMD62T2R
Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket EMT6
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms
Vce Sättigung (Max.) 150mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 59 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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