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UMG3NTR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: UMG3NTR
Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Basis-Teilenummer *MG3
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket UMT5
Widerstand - Emitter-Basis (R2) -
Vce Sättigung (Max.) 150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 1mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 87 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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