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BSM180D12P2C101

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: BSM180D12P2C101
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
Verpackung Bulk
FET-Funktion Silicon Carbide (SiC)
Teilstatus Active
Leistung - Max 1130W
Paket / Fall Module
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35.2mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs -
Lieferanten-Gerätepaket Module
Gate Charge (Qg) (Max.) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 23000pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 204A (Tc)

Auf Lager 21 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$410.07 $401.87 $393.83
Minimale: 1

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