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BSM180D12P2C101
| Hersteller: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | BSM180D12P2C101 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ROHM Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Verpackung | Bulk |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1130W |
| Paket / Fall | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 23000pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 204A (Tc) |
Auf Lager 21 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $410.07 | $401.87 | $393.83 |
Minimale: 1
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