Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
FF23MR12W1M1B11BOMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| Beschreibung: | MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | CoolSiC™+ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Tray |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 20mW |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 23mOhm @ 50A, 15V |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 125nC @ 15V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3950pF @ 800V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A |
Auf Lager 16 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $92.77 | $90.91 | $89.10 |
Minimale: 1
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