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2SK2887TL

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: 2SK2887TL
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 900mOhm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 20W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket CPT3
Gate Charge (Qg) (Max.) 8.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 230pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 51 pcs

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