RDN120N25
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | RDN120N25 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ROHM Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Bulk |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 210mOhm @ 6A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 40W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220FN |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 62nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1224pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 12A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 90 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1