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2SC5876U3HZGT106Q

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SC5876U3HZGT106Q
Beschreibung: 2SC5876U3HZG IS THE HIGH SPEED S
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 300MHz
Lieferanten-Gerätepaket UMT3
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 500mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 60V

Auf Lager 2866 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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