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2SB815-7-TB-E

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SB815-7-TB-E
Beschreibung: TRANS PNP 15V 0.7A CP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket 3-CP
Vce Sättigung (Max.) 80mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 700mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 300 @ 50mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 15V

Auf Lager 2984 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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