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NVMYS1D2N04CLTWG

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NVMYS1D2N04CLTWG
Beschreibung: T6 40V LL LFPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 180µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.2mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LFPAK4 (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 109nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6330pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 44A (Ta), 258A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 76 pcs

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