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DMTH10H010LCTB-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMTH10H010LCTB-13
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9.5mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 53.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2592pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 108A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 70 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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