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NVMFS6H801NWFT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NVMFS6H801NWFT1G
Beschreibung: TRENCH 8 80V NFET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gate Charge (Qg) (Max.) 64nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4120pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23A (Ta), 157A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 85 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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