TK18E10K3,S1X(S
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK18E10K3,S1X(S |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSIV |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 42mOhm @ 9A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | - |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 33nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18A (Ta) |
Auf Lager 85 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.18 | $1.16 | $1.13 |
Minimale: 1