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TK18E10K3,S1X(S
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | TK18E10K3,S1X(S |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSIV |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 42mOhm @ 9A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 33nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18A (Ta) |
Auf Lager 85 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.18 | $1.16 | $1.13 |
Minimale: 1
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