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NVMFS6B03NLT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NVMFS6B03NLT1G
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.9W (Ta), 198W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gate Charge (Qg) (Max.) 9.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5320pF @ 25V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 86 pcs

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