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TPH3206LD

Hersteller: Transphorm
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPH3206LD
Beschreibung: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Transphorm
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±18V
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 4-PowerDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 8V
Verlustleistung (Max.) 96W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PQFN (8x8)
Gate Charge (Qg) (Max.) 9.3nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 760pF @ 480V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 99 pcs

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