Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

NVMFS5C612NLAFT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NVMFS5C612NLAFT1G
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.36mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gate Charge (Qg) (Max.) 91nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6660pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 38A (Ta), 250A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 53 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.07 $1.05 $1.03
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

DMN90H8D5HCTI
Diodes Incorporated
$1.06
PSMN7R8-120PSQ
Nexperia USA Inc.
$1.06
PSMN7R8-120ESQ
Nexperia USA Inc.
$1.06
FDMC8588DC
ON Semiconductor
$0
IPB60R280P6ATMA1
Infineon Technologies
$1.06