Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPB60R280P6ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPB60R280P6ATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P6
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 430µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 280mOhm @ 5.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 104W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Gate Charge (Qg) (Max.) 25.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1190pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 62 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.06 $1.04 $1.02
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BUK764R2-80E,118
Nexperia USA Inc.
$0
BUK762R6-60E,118
Nexperia USA Inc.
$0
IRF8308MTRPBF
Infineon Technologies
$1.05
AUIRF7416QTR
Infineon Technologies
$1.05
IPI50N10S3L16AKSA1
Infineon Technologies
$1.05