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NVMFD5C650NLWFT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: NVMFD5C650NLWFT1G
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 98µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Gate Charge (Qg) (Max.) 16nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2546pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 21A (Ta), 111A (Tc)

Auf Lager 1 pcs

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