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SI7252DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI7252DP-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 46W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual
Basis-Teilenummer SI7252
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 18mOhm @ 15A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
Gate Charge (Qg) (Max.) 27nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1170pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 36.7A

Auf Lager 85 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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