NTP8G202NG
Hersteller: | ON Semiconductor |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | NTP8G202NG |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±18V |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 350mOhm @ 5.5A, 8V |
Verlustleistung (Max.) | 65W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 9.3nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 760pF @ 400V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
Auf Lager 63 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1