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NDPL180N10BG

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NDPL180N10BG
Beschreibung: MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3mOhm @ 15V, 50A
Verlustleistung (Max.) 2.1W (Ta), 200W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 95nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6950pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 180A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V

Auf Lager 72 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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