NTLJS3180PZTBG
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | NTLJS3180PZTBG |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 38mOhm @ 3A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 700mW (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | 6-WDFN (2x2) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 19.5nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1100pF @ 16V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Auf Lager 57 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1