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2SK3128(Q)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: 2SK3128(Q)
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 150W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P(N)
Gate Charge (Qg) (Max.) 66nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2300pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 59 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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