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NTD3817N-35G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NTD3817N-35G
Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 13.9mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 10.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 702pF @ 12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 92 pcs

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