NTD3813N-35G
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | NTD3813N-35G |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 8.75mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | I-PAK |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 12.8nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 963pF @ 12V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.6A (Ta), 51A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 65 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1