Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
NSV60101DMR6T1G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt: | NSV60101DMR6T1G |
| Beschreibung: | 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE( |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 530mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | SC-74 |
| Vce Sättigung (Max.) | 200mV @ 100mA, 1A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 1A |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 250 @ 100mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 60V |
Auf Lager 57 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.14 | $0.14 | $0.13 |
Minimale: 1
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