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NSVEMT1DXV6T1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: NSVEMT1DXV6T1G
Beschreibung: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 500mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Transistortyp 2 PNP (Dual)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 140MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-563
Vce Sättigung (Max.) 500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500pA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 1mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 60V

Auf Lager 57 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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