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NSM46211DW6T1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: NSM46211DW6T1G
Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 230mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10kOhms
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 300µA, 10mA / 600mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V, 65V

Auf Lager 88 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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