Image is for reference only , details as Specifications

EMF21-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: EMF21-7
Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Basis-Teilenummer EMF21
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz, 280MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-563
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V, 12V

Auf Lager 68 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

NSVBC114YPDXV65G
ON Semiconductor
$0
NSTB1004DXV5T1G
ON Semiconductor
$0
NSTB1002DXV5T1
ON Semiconductor
$0
NSBC143TPDXV6T5G
ON Semiconductor
$0
NSBC124XPDXV6T5G
ON Semiconductor
$0