Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
NJX1675PDR2G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt: | NJX1675PDR2G |
| Beschreibung: | TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Serie | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 2W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Transistortyp | NPN, PNP |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 100MHz, 120MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SOIC |
| Vce Sättigung (Max.) | 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 3A |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 180 @ 1A, 2V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 30V |
Auf Lager 86 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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