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ULN2803AFWG,C,EL

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: ULN2803AFWG,C,EL
Beschreibung: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1.31W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Transistortyp 8 NPN Darlington
Basis-Teilenummer ULN280*A
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket 18-SOL
Vce Sättigung (Max.) 1.6V @ 500µA, 350mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 1000 @ 350mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 59 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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