NGTD13T65F2WP
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | NGTD13T65F2WP |
Beschreibung: | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Verpackung | Bulk |
Eingabetyp | Standard |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Testbedingung | - |
Schalten der Energie | - |
TD (ein/aus) bei 25°C | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | Die |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 61 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.10 | $1.08 | $1.06 |
Minimale: 1